Charged Residues at the First Transmembrane Region Contribute to the Voltage Dependence of the Slow Gate of Connexins

Pinto, BI; Garcia, IE; Pupo, A; Retamal, MA; Martinez, AD; Latorre, R; Gonzalez, C

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Título según WOS: Charged Residues at the First Transmembrane Region Contribute to the Voltage Dependence of the Slow Gate of Connexins
Título según SCOPUS: Charged residues at the first transmembrane region contribute to the voltage dependence of the slow gate of connexins
Título de la Revista: JOURNAL OF BIOLOGICAL CHEMISTRY
Volumen: 291
Número: 30
Editorial: Elsevier
Fecha de publicación: 2016
Página de inicio: 15740
Página final: 15752
Idioma: English
DOI:

10.1074/jbc.M115.709402

Notas: ISI, SCOPUS